[뉴스토마토 안정훈 기자] SK하이닉스가 차세대 인공지능(AI)용 초고성능 D램인 7세대 고대역폭메모리(HBM4E) 12단 제품 샘플을 주요 고객사에 공급했습니다. 경쟁사와 기술 경쟁이 이어지는 가운데 HBM3부터 이어온 기술 주도권을 HBM4E에서도 이어가겠다는 구상입니다.
SK하이닉스의 HBM4E. (사진=SK하이닉스)
18일 SK하이닉스는 전작인 HBM4 대비 성능과 전력 효율을 크게 개선한 HBM4E 샘플을 고객사에 공급했다고 밝혔습니다. 이번 제품은 핀당 최대 16Gbps(초당 기가비트)의 데이터 처리 속도를 구현했으며, 에너지 효율도 20% 이상 높여 AI 학습과 추론에 필요한 데이터 처리 성능을 강화했습니다.
HBM4E에는 ‘어드밴스드 MR-MUF(Mass Reflow Molded Underfill)’ 공정을 적용해 12단 적층 기준 48GB 용량을 구현하면서도 구조적 안정성을 확보했습니다. MR-MUF는 반도체 칩을 쌓은 뒤 칩 사이 공간에 액체 형태의 보호재를 주입해 굳히는 SK하이닉스의 독자 패키징 기술입니다.
SK하이닉스는 HBM3부터 최근까지 고객 요구에 최적화된 메모리 솔루션을 제공해 온 경험을 바탕으로 향후 HBM4E 시장에서도 고객사와 협력을 확대한다는 방침입니다. 이날 사측은 “그동안 축적해 온 HBM 선행 개발 역량과 생산 노하우를 바탕으로 HBM4E 12단 샘플을 선보일 수 있었다”며 “핵심 고객사들과 긴밀히 협업해 적기 양산에 만전을 기하겠다”고 강조했습니다.
안현 SK하이닉스 개발총괄 사장(CDO)은 “그동안 쌓아온 업계 최고의 기술 경쟁력과 양산 역량을 HBM4E 제품에서도 이어가, AI 혁신을 지속적으로 리드해 갈 수 있는 기반을 마련했다”며 “파트너들과 협력을 바탕으로 시장이 요구하는 가치를 선제적으로 구현해, 풀 스택 AI 메모리 크리에이터로서의 기술 리더십을 공고히 하겠다”고 했습니다.
안정훈 기자 ajh76063111@etomato.com
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