삼성전자는 13일 경기 평택캠퍼스에서 열린 'K-반도체 벨트 전략 보고대회'에서 향후 2030년까지 시스템반도체 리더십 조기 확보를 위해 '시스템반도체 비전 2030' 발표 당시 수립한 133조원의 투자계획에 38조원을 추가해 2030년까지 총 171조원을 투자하기로 했다. 또 첨단 파운드리 공정 연구개발과 생산라인 건설에 더욱 박차를 가하기로 했다.
2019년 4월 정부는 삼성전자 화성사업장에서 '시스템반도체 비전 선포식'을 열고 시스템반도체 육성을 통해 종합 반도체 강국으로 거듭나겠다는 계획을 밝혔다. 삼성전자는 이때 '시스템반도체 비전 2030'을 제시하며 133조원 투자계획을 발표했다.
비전 선포식 이후 지난 2년 간 삼성전자를 비롯한 반도체 제조 기업과 팹리스, 공급망의 핵심인 소재·부품·장비 업체, 우수 인재 육성을 담당하는 학계 등 우리나라 반도체 생태계 주요 구성원 간의 상호 협력이 활성화되며 비전 달성을 위한 기반도 착실히 다져졌다.
최근 모든 산업영역에서 전례 없는 반도체 부족 사태가 빚어지고 각국 정부가 미래 산업의 핵심인 반도체 공급망 유치를 위해 경쟁하는 상황에서 삼성전자의 시스템반도체 투자 확대는 'K-반도체'의 위상을 한층 더 높이는 데 기여할 것으로 기대된다.
2022년 하반기 완공될 평택 3라인의 클린룸 규모는 축구장 25개 크기이다. 현존하는 최첨단의 기술이 적용된 팹으로, EUV 기술이 적용된 14나노 D램과 5나노 로직 제품을 양산한다. 모든 공정은 스마트 제어 시스템에 의해 전자동으로 관리된다.
평택캠퍼스는 세계 최대 규모의 반도체 클러스터로서 최첨단 제품을 양산하는 전초기지이자 글로벌 반도체 공급기지로서의 주도적 역할이 더욱 강화될 전망이다.
김기남(왼쪽) 삼성전자 부회장이 13일 오후 경기 평택시 삼성전자 평택단지 3라인 건설현장에 마련된 야외무대에서 열린 'K-반도체 전략 보고'에 참석해 발표를 끝낸 박정호 SK하이닉스 부회장과 주먹인사를 나누고 있다. 사진/뉴시스
삼성전자는 앞으로 △차세대 D램에 EUV 기술을 선도적으로 적용해 나가고 △또 메모리와 시스템반도체를 융합한 'HBM-PIM' △D램의 용량 한계를 극복할 수 있는 'CXL D램' 등 미래 메모리 솔루션 기술 개발에도 박차를 가하며 '초격차 세계 1위' 위상을 강화할 계획이다.
이날 행사에서 김기남 삼성전자 부회장은 "한국이 줄곧 선두를 지켜온 메모리 분야에서도 추격이 거세다"며 "수성에 힘쓰기 보다는, 결코 따라올 수 없는 '초격차'를 벌리기 위해 삼성이 선제적 투자에 앞장 서겠다"고 강조했다.
SK하이닉스도 정부의 종합 반도체 강국 도약 의지를 지지하며 파운드리 생산능력을 2배로 확대하기로 했다. 박정호 SK하이닉스 대표이사 부회장 이날 설비증설, 인수합병(M&A) 등 다양한 전략적 방안을 검토하겠다는 입장을 표명했다.
이번 발표는 최근 전세계적으로 비메모리 반도체 공급 부족이 심각해진 상황에서 SK하이닉스가 공급 안정화에 기여하겠다는 의지로 풀이된다. 또 국내 팹리스 기업들을 지원해 비메모리 생태계를 활성화하겠다는 의미이기도 하다.
박 부회장은 이미 지난달 월드IT쇼에서 "파운드리에 더 투자해야 한다"며 "국내 팹리스들에 파운드리 세계 1위인 대만 TSMC 수준의 서비스를 제공해주면, 이들 기업은 여러 기술개발을 해낼 수 있다"고 언급했다. 노종원 부사장도 지난달 말 있었던 1분기 실적발표에서는 "8인치 파운드리에 투자하겠다"며 박 부회장의 계획을 구체화했다.
SK하이닉스는 시스템 반도체, 파운드리 등 비메모리 사업 비중이 전체 매출에서 2% 수준에 불과한 전형적인 메모리 반도체 기업이다. 현재 자회사인 SK하이닉스시스템IC가 중국에서 파운드리 사업을 운영 중이고, 청주 사업장에 파운드리 설비 공간이 남아 있는 정도다.
김광연 기자 fun3503@etomato.com
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